• よくあるご質問（FAQ）
  • 一般的な製品情報
  • プロトコル情報
  • 細胞の準備/取扱い方
  • 細胞培養試薬
  • 注文/出荷
  • タンパク質発現
  • 生存率
  • コンタミネーション
  • 解析方法
  • 製品品質
  • トレーニング
  • その他

よくあるご質問（FAQ）

遺伝子導入時のカルシウムの流入は、ヒト間葉系幹細胞(hMSC)の生存率に影響を与えますか?

はい、細胞にNucleofectorを用いて遺伝子導入する際には一時的に細胞膜に孔が生成されます。一般的に孔は遺伝子導入した15分以内に消失します。遺伝子導入直後に、細胞を高濃度のカルシウムイオンを含む培地に播種すると、カルシウム感受性を活性化する場合があります。また、免疫系の細胞や、神経系、間葉系幹細胞などでは、培地中のカルシウムイオンが細胞の生存率を低下させる場合がございます。遺伝子導入後の10-15分程度の間においては、カルシウム不含培地、もしくはRPMIのような低カルシウム培地で培養をしていただくことをお勧めしています。